QUINT ORING active redundancy module with MOSFET

Active redundancy modules

The QUINT S-ORING active redundancy module decouples supply networks with MOSFET and keeps cables separated up to the load. In combination with the new QUINT POWER power supply units, input voltage and the decoupling section are monitored continuously. The QUINT ORING active redundancy module features ACB (auto current balancing) technology. This balances the loads on power supplies equally, and therefore extends their service life.

Lisätietoja

Edut

  • Ennakoiva toiminnan valvonta tulojännitteen ja erotusreitin jatkuvalla valvonnalla
  • Eheä redundanttisuus laitteeseen saakka
  • 70 % energian säästöä MOSFET-transistorin ansiosta
  • Suojaus ylijännitteeltä lähdössä (OVP) maksimoi toiminnan turvallisuuden
  • Suojalakkaus sekä ATEX- ja IECEx-hyväksynnät äärimmäisiin ympäristöoloihin

Uudet tuotteet

QUINT ORING -redundanssimoduuli
Aktiiviset, redundanttiset moduulit, joissa ACB-tekniikka
Eheä redundanttisuus

Uusissa Auto Current Balancing -tekniikalla varustetuissa QUINT ORING -moduuleissa on NFC:n välityksellä parametroitava ylijännitesuoja sekä kaksi lähtöä, jotka takaavat parhaan mahdollisen järjestelmäkäytettävyyden.

Edut

  • Ehkäisevä toiminnan valvonta tulojännitteen, ulostulovirran ja erotusreitin jatkuvalla valvonnalla
  • Eheä redundanttisuus laitteeseen saakka
  • Tasainen kuorman jakautuminen kaksinkertaistaa käyttöiän
  • 70 % energiansäästö MOSFET-irtikytkennän ansiosta
  • Suojaus ylijännitteeltä lähdössä (Over Voltage Protection) lisää toiminnan turvallisuutta

Tärkeimmät ominaisuudet

  • Auto Current Balancing -tekniikka ja vapaasti valittava OVP (Over Volt Protection)
  • Suojakerros, jolla ATEX-, IECEx- ja UL HazLoc -hyväksynnät äärimmäisiin ympäristöolosuhteisiin
  • Lämpötila-alue: -40 °C…+70 °C

STEP DIODE
Redundanssimoduuli helppoon irtikytkentään
Asennus DIN-kiskoon tai tasaisille pinnoille

Uusi STEP DIODE on kompakti ja sopii käytettäväksi jakajakoteloissa. Se lisää tehonsyötön varmuutta kiinteistöasennuksissa, ja sillä voidaan myös lisätä tehoa.

Edut

  • Nopea ja helppo käyttöönotto työkaluttoman push-in-liitäntätekniikan avulla 45 asteen kulmassa kahdella kytkentäpisteellä
  • Yhtenäinen asettelu etuosaan ja selkeä merkintä sekä QR-koodi koko STEP POWER -tuoteperheelle
  • Virtaa ei tarvitse enää jakaa tasaisesti molemmille tuloille Yhtä tuloa kohti voidaan liittää 10 A, mutta kokonaisvirta ei saa olla yli 10 A
  • Enemmän tilaa kytkentäkaappiin kapeiden ja matalien rakenteiden ansiosta

Tärkeimmät ominaisuudet

  • Tulojännite 5 V DC…24 V DC
  • Lähtövirta yhteensä enint. 10 A
  • Push-in-liitäntä, jossa johtimen/piirikortin liitäntäsuunta: 45°
  • Lämpötila-alue: -10 °C…+70 °C

Aktiivinen redundanssimoduuli QUINT S-ORING

Aktiivinen redundanssimoduuli QUINT S-ORING

Aktiivinen redundanssimoduuli QUINT SINGLE-ORING

Aktiivinen QUINT S-ORING -redundanssimoduuli erottaa MOSFET-transistorin avulla ja huolehtii parhaasta käyttövarmuudesta ja toiminnan turvallisuudesta. Syöttävät verkot ja johtimet erotetaan ja johdetaan kuormaan kokonaan erotettuina. Kun moduulia käytetään yhdessä 4. sukupolven QUINT POWER -teholähteiden kanssa, järjestelmä valvoo tulojännitettä ja erotusreittiä kauttaaltaan. Suojakytkennällä ja Over Voltage Protection (OVP) -toiminnolla varustettu Plus-versio ja VP-versio suojaavat herkkiä käyttäjälaitteita. Ylijännitteet rajoitetaan < 28,8 V:iin tai < 30 V:iin.

  • VP-versio > 30 V (QUINT4-S-ORING/12-24 DC/1x40/VP)
  • Plus-versio > 28,8 V (QUINT4-S-ORING/12-24 DC/1x40/+)
Aktiivinen redundanssimoduuli QUINT ORING

QUINT ORING

Aktiivinen redundanssimoduuli QUINT ORING, jossa ACB tekniikka

Aktiivisen QUINT ORING -redundanssimoduulin ACB (Auto Current Balancing) -tekniikka kaksinkertaistaa redundanttien teholähteiden käyttöiän huolehtimalla teholähteiden yhtäläisestä kuormittamisesta.

QUINT ORING -moduulit, joissa on ennakoiva toiminnan valvonta, valvovat kahdesta QUINT POWER -teholähteestä ja yhdestä QUINT ORING -moduulista muodostuvassa järjestelmässä jatkuvasti tulojännitettä, ulostulovirtaa ja erotusreittiä. Näin redundanssin puuttumisesta ilmoitetaan ajoissa. Kaksi plus-lähtöliitintä takaavat redundanssin käyttäjälaitteeseen saakka. Asennetut MOSFET-transistorit vähentävät tehohäviötä niin paljon, että energiansäästö on suunnilleen 70 prosenttia. Suojaus ylijännitteiltä rajoittaa esiintyvät ylijännitteet 32 V:iin.

Aktiivinen redundanssimoduuli, jossa ACB-tekniikka

Aktiivinen redundanssimoduuli, jossa ACB-tekniikka

ACB tekniikka kaksinkertaistaa käyttöiän

Epätasaisen syötön takia usein vain yksi virtalähde syöttää koko kuorman, kun toinen virtalähde on joutokäynnillä. Tämä johtaa syöttävän virtalähteen lämpökuormitukseen ja nopeaan vanhenemiseen.

ORING-moduulien ACB-tekniikka huolehtii kummankin teholähteen symmetrisestä kuormittamisesta. Tällöin tulojännite-ero teholähteiden välillä lasketaan jatkuvasti, ja sitä kompensoidaan automaattisesti 300  mV:n poikkeamaan saakka. Kuormitusvirta jakautuu siten täysin symmetrisesti.

Moderni MOSFET-transistoritekniikka vähentää syntyvää termistä kuormitusta jopa 70 prosenttia. Tämä vähäisempi tehohäviö varmistaa, että kaikki kytkentäkaapin komponentit pysyvät viileämpinä, ja redundantin järjestelmän käyttöikä kaksinkertaistuu.

Toiminnan turvallisuus on etusijalla

Käytettävyydellä on yleisesti merkittävä rooli ja erityisesti prosessiteknisissä järjestelmissä. OVP (Over Voltage Protection) suojaa lähellä olevia kuormia yli 30 V DC:n tai 28,8 V DC:n lähtöjännitteiltä.

QUINT POWER -teholähteestä ja aktiivisesta QUINT4-S-ORING/+ -redundanssimoduulista koostuva SIL-sertifioitu redundanttinen järjestelmä varmistaa parhaan mahdollisen toiminnan turvallisuuden. Käytä järjestelmää toiminnallisen turvallisuuden sovelluksissa, joiden turvallisuuden eheystaso on jopa SIL 3 (IEC 61508).

Redundanttinen teholähdejärjestelmä

Redundanttinen teholähdejärjestelmä