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用电设备 (Z) 通过电缆由电源 (U) 供电时， 正负线间会形成压差，从而在导线间产生电场。带电导线周围由此产生磁场 (H)。磁场取决于电流，因此会随时间发生波动。由于恒定电流仅存在于少量应用中，这种现象会产生不规则的交变磁场。这些场所形成的电磁信号既是“微型发送器”，也是接收器。因此每根导线都会对其他电气和电子设备的功能造成不利影响。为防止该效应对设备和系统产生显著影响，需采取专业的线缆屏蔽措施。

两个电路共用导电部件时会出现电流干扰。其通常为公共接地线或回线。第一电路中的电流或电压波动（如 开关操作）将影响第二电路。然而，屏蔽型MCR和数据传输电缆的错误接地也会导致电流干扰。

对策：

• 确保使用低阻抗和低电感的共用导电部件（采用大线径导线）
• 尽量隔开电路
• 尽可能缩短公共供电线路的长度
• 分支点位置应尽可能靠近电流源

容性干扰的干扰变量为电压。该类干扰由充当干扰源系统的交变电场引起。其典型示例是两条电缆长距离平行铺设，类似于两个相对的电容极板，在传输高频信号时相当于短路。

对策：

• 务必避免平行安装，或尽可能缩短平行长度
• 尽量隔开干扰源和被干扰电缆（最小间距为60 – 100 cm）
• 采用屏蔽型数据传输和MCR电缆（一端屏蔽连接）
• 采用双绞线

感应干扰由交变磁场引起。带电导线周围由此产生磁场，并穿过邻近导线。而电流变化也会引起磁场变化，在邻近导线中形成感应电压。

示例：两根100 m长的电缆相距30 cm平行敷设，流经干扰导线的电流为100 A (50 Hz)，则被干扰导线上会感应出约0.3 mV的电压。采用相同配置，但电流为1 kA且变化持续时间达100 μs，则感应电压可达90 mV左右。电流变化的频率越高，幅度越大，感应电压就越高。

对策：

• 电源电缆与数据传输和MCR电缆之间的距离至少为1 m
• 平行线路应尽可能短
• 使用双绞线可降低约20倍的电感影响
• 采用两端屏蔽型电缆（屏蔽）

双绞线？
依托其绞合结构，双绞线的感应方向与干扰场方向将始终相反，进而抑制了感应干扰。为避免发生耦合，数据传输电缆或MCR电缆的相邻线对会采用不同绞距。通常情况下，绞距在30至50 mm之间。而电源电缆的绞距为200至900 mm，具体数值取决于线径。

在出现波干涉时，传导波或脉冲会叠加到相邻的数据传输和MCR电缆上。此外，当电缆中一条回路与另一条重叠时，也会发生波干涉。出现电流、容性和感应干扰时，将不考虑干扰和被干扰电缆上电信号的传输时间。特殊情况下，干扰频率的波长可接近于电缆长度。此时就必须考虑到该情况的影响。

对策：

• 使用屏蔽型双绞线和具备全面屏蔽防护的电缆
• 避免整体电缆线路中出现错配情况
• 不得使用同一电缆传输高电平信号与低电平信号
• 采用低反射、低衰减和低电容的电缆

来自干扰源的非传导性电磁波同样会影响系统和电缆。这一干扰源即是自由波H0、E0。电场和磁场在近场区域内均有可能占据主导位置，具体取决于干扰类型。大电流主要产生磁场，而高压主要生成电场。高频干扰能量将通过与干扰源相连的电缆传递出去，产生直接辐射 (>30 MHz)。此外，近处的大功率发射站会在电缆系统处引起高场强，对电缆造成干扰。而在工厂中，关闭感性负载时所产生的干扰才最为严重。关闭过程中将产生称为“脉冲群”的大型高频电压瞬变，其频谱高达100 MHz。

对策：

• 在远场和近场采用具备高吸收和反射能力的屏蔽层（铜或铝）。在此情况下，应选用具备低耦合电阻和出色屏蔽衰减值的全封闭式导电屏蔽层。（屏蔽）
• 在磁场主导的近场区域，处于低频状态时应使用镍铁合金或无定形金属来增强屏蔽效果。

使用的屏蔽连接类型主要取决于预计的干扰类型。为抑制电场，需要一端为屏蔽接地 (1)。但交变磁场产生的干扰仅在两端均采用屏蔽措施时才能抑制。然而在两端 (2) 连接屏蔽层时会形成接地回路，其缺点众所周知。特别是参考电位的电流干扰会影响有用信号，降低屏蔽效果。此问题可通过选用内部连接一端屏蔽、外部连接两端屏蔽的三轴电缆 (4) 来解决。为减少电缆屏蔽层在两端连接时的电流干扰，一端还经常通过电容器 (3) 连接参考电位。这至少可在直流和低频电流时断开接地回路。

下文示例展示了抗干扰措施的有效性。图中所示装置暴露在长度为2 m的50 kHz交变磁场中。在输出端测得的干扰电压与未连接导线屏蔽层时的干扰电压相关 (1)，设为0 dB。在连接屏蔽层一端时 (2)，未能有效抵御电磁干扰，因此屏蔽效果并未得到改善。而如图3所示连接屏蔽层两端时，干扰场将衰减约25 dB。即使未采取屏蔽措施，装置中的双绞线（20绞/米）也不易受到干扰（约10 dB）(4)。其原因在于导线回路的抵消效应。随后再次连接屏蔽层一端 (5)，屏蔽效果仍未能提高。只有连接装置屏蔽层的两端 (6)，衰减效果才能提高到约30 dB。